12A6GTYのカソード電圧が高いのでツェナー(D8・D9)を交換。電圧は26V→24Vになった。カソード電圧はLch 42.0V、Rch 45.1Vまで下がった。左右チャンネルで3.1Vの差があるが、電流は1.6mAの違いでしかないので無視することにする。
半固定VR1を10kΩから20kΩに変更。予備の12A6GTY 2本を使ってDCバランスを取ろうとするがやはり取れない。なんでかな？ 結局もとの4本になったみたい。
クロストーク特性を調べたらカップリングコンデンサ間でクロストークが発生していた。1kHzですでに悪化の兆しが見える。
仕切りのアルミ板を入れたら改善した。初段カスコードの6N23Pグリッドへ行く配線をいじるとクロストーク量が変化するので、低インピーダンス化を図って820Ωの代わりにツェナーD10を入れたが変わらず。配線を根元からLR分けてみたが変わらず。
Lchの6N23P〜FETソースの配線をいじっていたらなぜか急にクロストークが激減した。相変わらずクロストークはクリティカルでR→Lが目まぐるしく変わる。
Lchのカップリングコンデンサを移動したがクロストークは相変わらず発生するので仕切りのアルミ板を入れたままとした。
12A6GTYのスクリーングリッドに入れた抵抗R18・R19を10Ωから100Ωに交換。電流は1mA前後で変わらなかった。
6dBのNFBがかかる抵抗R17の値を探ったら1.4kΩだった。そこで手持ちの1.3kΩを入れてみた。70kHzあたりに小ピークが見られるので位相補正コンデンサとしてC6に180pFを入れたらフラットになった。
ここまでで変更した回路を上記の青字で示す。赤字は実測した電圧。
シャーシ内はこんなふうになっている。仕切りのアルミ板と移動したカップリングコンデンサが見える。 詳細な特性を測定することにした。
諸特性を上記に示す。NFB量は6.3〜6.4dBで高域-3dB点は160kHzだった。DFは9.1〜10.0まで増えた。残留ノイズは50μVで十分低い。
周波数特性。高域が素直に落ちている。
クロストーク特性。20Hz〜20kHzでは-91dB以下となっている。
Lchの歪率特性。0.1％以下ですこしバラついているが問題ないと思う。歪率5％での出力は6.5Wだった。
Rchの歪率特性。こちらも0.1％以下ですこしバラついている。歪率5％での出力は6.6Wだった。
出力は5.8Wの設計だったから初段でリミットしている可能性がある。でも初段の出力振幅を増やすには電源電圧を上げるしかなく(ブートストラップにはしない)、現状でもOKでいいんでないの？
