5670Wパラプッシュプルアンプ・組み立て開始

5670Wパラプッシュプルアンプの組み立てを始めた。サブシャーシの取り付けに手間取ったが、シャーシと黄銅スペーサーの間にスプリングワッシャを入れることでOKとなった。黄銅スペーサーが短いので、ネジ穴が浅くてネジが締まり切る前に入らなくなってしまうため。

OPTはITPP-3Wが取り付けできた。だがアクリルカバーをつけようとしたらギリギリで入ったので危ないところであった。裸のT-1200に対しITPP-3Wはカバーがついているのですこし太めなのだ。でも端子が剥き出しのT-1200と違ってリード出しだからアクリルカバーは本来不要だ。

パーツが取り付け終わったシャーシ内部。OPTの1次配線が短くて届かないので立ラグで中継することにした。そうしたら+B1用の立ラグを取り付けるのを忘れてしまった。どこかに場所を確保する必要がある。

+B電源の47μF250Vの2並列が気に入らないので、日本ケミコンのKXJ・100μF250Vへの交換を考えている。Φ16mm×H20mmだから収まるはず。

この後ヒーター配線を行い点灯式をするのだが、今回はサブプレート状態での確認が済んでいるのでやらないことにする。

+B電源の平ラグに配線を取り付けて動作確認を行う。+B～GNDのダミー抵抗3.5kΩに加え、-Cへのリターン電流を想定したダミー抵抗37.7kΩも接続した。

赤字で実測の電圧を記入した。予定通りの電圧が出ている。ただ電源トランスのヒータータップが無負荷状態なので、もうすこし電圧が低くなるかもしれない。

作業する時間はあるが、目が疲れてまぶたがピクピクするし、背中はだるいしで休憩を入れている。目薬をさしたりストレッチをしてももうダメ…状態になって続けられない。先は見えているからゆっくりやろうと思う。

5670Wパラプッシュプルアンプ・平ラグ作成ほか

ちまちま進む5670Wパラプッシュプルアンプの進捗(しつこいって)。サブプレートにMT9Pソケットを取り付ける。シャーシに組み付ける前にできる配線を済ませておく。

ヒーター直列抵抗も取り付けた。この状態で真空管を挿し、電源トランスからヒーター電圧を供給したところ、電圧は6.3Vになった。

アンプ部の平ラグパターン。

これは解体したアンプから流用したものだが、ハンダを取り除き、NFB抵抗を除去、カソード抵抗を交換しフィルムコンデンサを取り付けた。

+B電源部の平ラグパターン。

組み立てた+B電源部の平ラグ。100μF250Vの電解コンデンサは背が高くてシャーシからはみ出してしまうので、47μF250Vの2個並列にした。

MOSFETの2SK3067は0.55Wの発熱量だが、小さなヒートシンクを抱かせている。

大した作業をしていないのに目が疲れてまぶたがピクピクするし、背中はだるいし肩は凝るしで長時間続けられない。

今後はいよいよシャーシに組み付けて配線する予定。

5670Wパラプッシュプルアンプ・追加工

ちまちま進む5670Wパラプッシュプルアンプの進捗。真空管用のサブプレートを作成した。手持ちの端切れを使い、厚さ1mmのアルミ板を加工する。

サークルカッターでソケット穴を開けているところ。アルミ板が小さくて押さえるのにも苦労する。押さえる位置をずらさないと目盛りを書いてある腕がつかえて回せない。

穴を開け終わったサブプレート。手前が今回作成したほう。6HA5パラシングルアンプを製作した2017年当時はサークルカッターを持っていなかったからシャーシパンチを使ったのだが、加工時にアルミ板が歪んでしまい金づちを使って直してある。サークルカッターではそんなことはなかった。本来はもっと大きなアルミ板を加工した後にカットするのが良い。

なんかサブプレートを加工するだけで疲れた。歳は取りたくない…。

追加の穴開けが終わったシャーシ。パーツを外し、傷防止にマスキングテープを貼って加工した。縁が白く見えるのが追加工した穴。

12A5シングルアンプ試作機は元に戻したので聴けるようになった。今後は5670Wパラプッシュプルアンプの組み立てに入る予定。

5670Wパラプッシュプルアンプ・実体図もどき作成ほか

ちまちま進む5670Wパラプッシュプルアンプの進捗。6HA5パラシングルアンプを解体した。数時間後にはバラバラになった。外したCRや半導体はハンダを取り除いてリードを整形した。なんかもう目が疲れるし背中はだるくなるしでやってられない。歳取ると解体すら大変なのか。

回路図を修正した。-Cをヒーターからではなく+Bの戻りの電流で作るようにした。素子的には4つが2つになるので減る。ただ+B電圧が下がるので問題ないか確認する必要がある。

実体図もどきというか、平ラグパターンを作成した。これで平ラグと立ラグの極数と個数が決まるはず。+B1回路は立ラグにした。なおアンプ部の平ラグは流用する。+Bの平ラグはロッカースイッチとの干渉を確認する必要がある。たぶん大丈夫と思うけど。

次はパーツの発注と、12A5シングルアンプの6F6Sから12A5に戻す作業を行う予定。

5670Wパラプッシュプルアンプ・解体

1階実験室は普段居ないので、この時期室温が10℃を割りエアコンで暖房してもなかなか温まらない。そこで赤外線ストーブを点けて背中に当てると案外暖かいことがわかった。作業中のみの使用だからそんなに使わないだろうと予想。

5670Wパラプッシュプルアンプを解体した。6HA5パラシングルアンプのシャーシを使ってニコイチするためだ。

解体していて思ったのが、なんて高密度なんだろうということ。2012年当時、よくこんなことできたよなあ。平ラグじゃなくてユニバーサル基板を使えばもっとシンプルに組めたんじゃないかと思う。

再びパーツ状態になった5670Wパラプッシュプルアンプ。真空管とOPTは再利用する。パーツはハンダをSPPONで大まかに取り除き、ハンダ吸い取り線できれいにした。吸い取り線ってすぐ無くなっちゃうんだよね。CRのリードはラジオペンチで真っ直ぐにしたが、一度使ったものは基本的に実験には使用するが本番機には使わない方針だ。

アンプ部の平ラグは再利用できるかもと思ってパーツを外さないようにした。回路的に変わる可能性があるので、そういうことを考えるとパーツ状態にして1から組み立てたほうがよい。

さて、6HA5パラシングルアンプのほうも解体しなければならない。バラしてシャーシを使い、穴を追加工してまた組み立てる。傷だらけになったらわざわざ再利用するより、新たにシャーシを買って加工し塗装するほうが気分がいい。

6F6Sシングルアンプ・特性測定

12A5シングルアンプの出力管を6F6Sに変更した試作機の詳細な特性を測定した。

諸特性を再掲。

Analog DiscoveryによるLchの周波数特性。

Rchの周波数特性。

NFB後の周波数特性。

クロストーク特性。Rchの残留ノイズが低いために曲線が重ならないが、20Hz～20kHzでは-71dB以下となっている。

Lchの歪率特性。各周波数でよく揃っている。

Rchの歪率特性。小出力で少々バラけているが、十分な特性。

[10kHz方形波、ダミーロード8Ωでの出力2Vp-p、100mV/div(プローブ10：1)、20μS/div]

SP端子に0.047μF～0.47μFのコンデンサをつないで方形波観測し、リンギングは生じるがダミーロードをオンオフしても発振には至らず。

3階自室で試聴する。クリアで低音も良く出るし、音場感も良くこれはこれで十分といった感じ。でも12A5の音色には及ばないみたい。6F6G(持ってない)を挿せば、見た目は12A5と同じになる。

じつは12A5で1.2Wしか出力が出ないのが気になり、ARITO's Audio LabにSE-3.5K4W-K64の試作をお願いしたところだ。OPTが3.5kΩでの出力を見るために、8Ωタップに5.6Ωを接続して測定すればわかることに気がついたものの、すでに遅しといったところ。まだ試作機を元に戻すには早すぎる。

12A5シングルアンプ・6F6Sを試してみる

試作機を作ったのは他のタマでもKNFを試してみたいと思ったから。以前から考えていたのが6F6S。しかしベースはUSのためソケットを交換する必要がある。

6F6Sは6F6族のロシア球でEp max=410V、Eg2 max=315V、Pp max=12Wとなっている。今回は直結を避けて通常のカップリングコンデンサを介したA1級とし、UL接続でKNFを試すことにする。

回路図と実測の電圧を赤字で示す。

改造したシャーシ内部。

当初6F6Sのカソード抵抗を352Ω(=330+22)としたら電流が流れすぎたので470Ωとしたらプレート電流が32mAとなった。12A5に比べ利得が増えたので位相補正容量に100pFを足して570pFとしている。

諸特性を測定。1kHzにおける歪率5％での出力は2.3W～2.4Wとなった。DFは4.5～5.0。オーバーオールNFBは7.7dBかかっている。

次回は詳細な特性測定を予定。

12A5シングルアンプ・UL/5結/3結

試作機を作ったのはいろいろ変えてみたかったということがある。細かいことは抜きにして、12A5をULから5結や3結にしたら音はどう変わるだろうか。

最初はULで聴いてみたんだけど、これはイイなと思った。うまく言えないけど、音が生きている感じがする。躍動感があるとでも言うのかな。利得は13.5倍、1kHzでの歪率5％の出力は1.2W、高域カットオフは130kHz、DFは4.0。本番機を製作しても良いみたい。

今度は5結にしてみた。利得がULの13.5倍から16倍に増え、NFB抵抗を変えていないのでNFB量が増え、位相補正コンデンサが補正しきれなくなって高域に小ピークが残った。DFはULの4.0から3.6に低下。

この状態で試聴する。なんというか、躍動感が抑えられてフツーの音になってしまった。ULに戻したら、この感じ！というのが復活したから間違いない。自分には5結の音は合わないようだ。

更に今度はULから3結に変更する。利得は11倍に低下、高域カットオフも110kHzに下がった。DFは4.0のままだった。1kHzでの歪率5％の出力は0.7Wに低下。KNFをかけたままなのだがとりあえず試聴する。

音の印象はULと変わらない感じ。OPTを3.5kΩにしてKNFを止めれば出力は1W出ると思うけど、OPTの変更はしたくない。というか、1号機と同じになってしまう。

結論としては、私はULを選択する。

12A5シングルアンプ・試作機にNFBをかける

12A5シングルアンプの試作機にNFBをかけることにし、バラック実験で行った1.5kΩと470pFの組み合わせでやってみた。

12A5のG2へ100Ωの抵抗からツェナーで降圧してみた。なぜこんなことをしたのかというと、AC100Vが高めだとEg2が180Vを超えるのが気になったから。残留ノイズが増えなかったので採用した。

詳細な諸特性を測定。周波数特性の高域は128kHz～131kHzまで伸びた。1kHzにおける歪率5％での出力は1.1W～1.2Wだった。バラック実験では1.8W出ていたのに何故か減ってしまった。ちなみに5結にしたら1.6W、KNFを外して3結にしたら1.0Wだった。オーバーオールNFB量は6.0～6.3dBとなった。DFは4.0、残留ノイズは0.1mVと低い。

Analog DiscoveryによるLchの周波数特性。

Rchの周波数特性。

クロストーク特性。20Hz～20kHzでは-74dB以下となった。

Lchの歪率特性。歪みの打ち消しがかかって1kHzが低歪みとなっている。

Rchの歪率特性。Lchに比べ、Rchのほうが強い打ち消しがかかっている。

[10kHz方形波、ダミーロード8Ωでの出力2Vp-p、100mV/div(プローブ10：1)、20μS/div]

SP端子に0.047μF～0.47μFのコンデンサをつないで方形波観測し、リンギングは生じるがダミーロードをオンオフしても発振には至らず。

特性を測定した限りにおいては問題は見られない。ただ1号機の出力が3結で1.1W～1.2Wなのに比べ、2号機がUL接続で1.1W～1.2Wと同じなのが不満。おそらくOPTのインピーダンスが5kΩでなく3.5kΩなら2号機でも出力アップが見込めると思う。あるいは5結にするとか。

12A5シングルアンプ・試作機の動作確認

配線チェック後に+Bがショートしていないことを確認、真空管を挿して電源オンし12A5のカソード電圧と+B電圧を素早くチェックする。大丈夫のようだ。各部の電圧をチェックして設計と大差ないことを確認。プレート電圧は正常に測れているので発振していない。SP端子にDMMをACレンジにして接続、RCA端子に指を触れて電圧が上昇するのを確認。動作一発OKだ。

カソード抵抗R8の電圧を116Vに調整する。AC100V電源の供給で各部の電圧を測定。問題なさそう。

無帰還での特性を測定。バラック実験では利得が30.8倍だったので、すこし低め。

Analog Discoveryによる周波数特性。200kHzまで両チャンネルがよく揃っている。

次回はNFBをかけての特性測定を予定。