ほぼ完成した6N6P直結パラシングルアンプだが、残留ノイズをもう少し下げたいなと思った。87dBのスピーカーでは、耳を近づけてもハムは殆ど聞こえないし、実用上問題ない。
ぺるけさんのWebを見ると、ミニワッターの「残留ハムも余裕で0.3mVを割ります」って書いてある。拙アンプは+Bの電圧は高いし、電流も多い。
そこで、FETのゲートに入るCRフィルタを2段にすることにした。回路図は上のとおり。R10,R14,R15,C7が変更した部分(赤枠で示す)。
結果は、残留ノイズがLchで0.24mV、Rchで0.23mVとなった。+Bの電圧を305Vから変えないように抵抗の値を決めた。これくらいになると、SPに耳をくっつけてもハムは聞こえない。SPユニットの場所がわからずにサランネットを外してみたくらいだ。
FETリプルフィルタでの電圧降下が増えればそれだけリプルは減る。計算上は十分な減衰量なのだが、例えば+Bを290V程度(リプルフィルタでの電圧降下は35V程度)にすれば残留ノイズは0.15mV程度まで減少する。逆に+Bを315V(リプルフィルタでの電圧降下は10V程度)にすると、急にハムが増加し出す。リプルによるハムを取りきれないためだ。
改造後のシャーシ内はこんな感じとなった。ついでにOPTのリード線を必要な長さだけ残してカットしたので、シャーシ内がすっきりした。もし解体して再利用するなら、同じように立ちラグを使って中継すれば良いわけだ。
今後の予定は各特性の測定だ。
