前回の続き〜。
結果から言うと、推論は外れていた。あらら(苦笑)。通常のNFBをかけるやり方にしても、低域にピークが生じることがわかった。
上の回路図のカソードバイパスコンデンサ、C1の容量を増減して低域の周波数特性を調べてみた。
3.3μFから1000uFまで振って調べてみたが、一番フラットになったのは22μFだった。
本来ならば22uFを採用、となるはずだ。でも、試聴していないのでわからないが、たぶんこの容量値だと低域に不満が生じるんじゃないだろうか。
今度はC1を22μFとして、出力を変化させて周波数特性を取ってみた。それぞれ1KHzの出力を0dBとしてある。
125mWではほぼフラットだが、出力を上げるとだら下がりに、出力を絞るとピークが生じることがわかる。ある出力でフラットになっても、出力が変わるとフラットになるとは限らない。
さらに、C1が470μFの時の周波数特性を取ったのが上のグラフ。出力が増減しても、いずれもピークが生じていることがわかる。 どっちが良いかは、わからない。
ということで、C1は現状の470μFで、NFBのかけ方は変えない、ということになりそうだ。
出力段の信号ショートループのコンデンサを増量しても改善されるけれど、電源ON/OFF時の挙動がリプルフィルタのFETに影響を与えないか心配だ。でも220μF程度ならいいかなあ。
