EL32シングルアンプにオシロ・ミリボル・オシレータをつないで特性をチェックする。まだオーバーオールNFBはかけていない。
利得は11.6倍。6dBくらいNFBをかけられそう。周波数特性は高域の-3dB点がLch 18.7KHz、Rch 18.3KHz。何だか低すぎる感じ。
残留ノイズは入力ショートでLch 0.5mV、Rch 0.55mV。予定どおり。DFは左右チャンネルで1.50。NFBかけてないからこんなもんかな。最大出力はオシロの読みで2W。まあ十分でないかい？
EL32のカソード電圧が高いのは、初段6SL7GTの電流が設計値よりも少ないため。SRPP上側球のプレート電圧が高めとなり、SRPP出力点でのDC電圧も高めとなって、直結のEL32グリッド電圧が高めとなる。 電源投入してEL32が動作を始めるとカソード電圧が120Vと高くなってしまうのは、初段6SL7GTがまだヒートアップ段階で電流が少ないためSRPP出力点でのDC電圧が高めとなるから。
対策としては+Bの立ち上がりをゆっくりにするのが有効。でもEL32より6SL7GTのほうが動作し始めるのが遅いのが原因だから、6SL7GTの上側球プレートにブリーダー抵抗を設ければ少しは抑えられるはずだ。
試しに1.5MΩをつないでみたら、EL32カソード電圧は116V程度の上昇に留まることがわかった。定常状態では102V程度に落ち着いた。
このアンプは入力グリッドに信号を帰還しているので、NFB抵抗によって入力インピーダンスが低下してしまう。仮にNFB抵抗を1MΩとすると、入力インピーダンスは34KΩになる。
これでは低いので入力につないでいる抵抗を47KΩから100KΩにすることにした。これで入力インピーダンスは56KΩとなる。
NFB抵抗を振ってみて、820KΩなら6dB程度のNFBがかけられることがわかったので、とりあえずこの値にしてみた。
利得は5.6倍となった。周波数特性の-3dB点は43KHzまで伸びた。DFは3.23まで上がったので大丈夫だろう。
残留ノイズはLch 0.47mV、Rch 0.4mVとなった。案外、左右チャンネルでアンバラは出ていない。
赤い四角で囲ったところが回路の変更個所。
