EL32シングルアンプの配線の続きをやる。+B電源基板のチェックOK。 配線はほどなく終了。CRの取り付けに入る。何せ部品数が少ないので、順調に終わる。配線チェックも完了。 ついでに裏蓋の足を取り付けた。M4のネジ長は15mm。少し長い。手持ちのナットが無くなってしまったので買ってこなければ。
電源を入れて電圧をチェックする。ほぼ予定通り。極端に違うところはない。 ただ全体に電圧が低めだ。原因は+Bの整流直後に入れているR12、100Ω5Wの抵抗に違いない。試作機ではリプルフィルタのコンデンサの後に入れていた。整流直後ではリプル電流が流れるので、同じ値の抵抗を入れると出力電圧が低めになるのだろう。
オシレータ・ミリボル・オシロをつないで動作チェック。問題ないが、R→Lのクロストーク量が多め。RchのOPTの1次配線を指で触るとクロストークが減少する。 そこで銅テープを貼って、テープをGNDにつないだところ、クロストークを抑えることができた。50KHzでR→Lが-55dBくらい。ちなみにL→Rは-57dBくらい。ほぼ同じとなった。
Rchの高域の周波数特性が銅テープを貼ることで悪化するかもと思ったが、問題ない程度に収まっているようだ。 +B電圧が若干低いので、+B整流直後の抵抗R12を51Ω5Wに交換した。これで+Bは336Vになった。とりあえずこれでOKとする。
諸特性を測定。周波数特性は試作機とほぼ同一。無帰還時の利得がわずかに減少したが、NFB後は同じとなった。DFはわずかに減少しているものの、誤差の範囲と思われる。残留ノイズは少し低めとなった。
現状の回路図を上に示す。試作機に比べてR12、R6、R7が違っているので、それが特性にも現れたものと思う。
シャーシ内部の写真。RchのOPT1次配線を銅テープでシールドしている(写真中央下)。
