低域のクロストーク特性悪化解析のつづき。130Vのツェナーダイオード1N5381Bを入手してクロストーク特性を調べてみたが殆ど改善しなかった。何が原因なのかわからないが、改造前のレベルに戻すことすら難しい。
とうとう+B1の電源回路を左右2つに分けることにした(右下に追加)。これなら文句あるまい。+B1電源回路はツェナーとMOSFETによる簡易定電圧回路とした。ツェナーだけの回路に比べ発熱が少ない。6.2V系は左右共通なのですこし違和感があるが問題無いだろう。
手持ちのパーツをかき集めて追加する+B1を組んだ。330KΩ2Wの抵抗が無かったので150KΩ+150KΩ+33KΩの3本直列にした。MOSFETは0.8Wの発熱なので放熱板は不要なくらいだが、たまたまヒートシンクがあったので付けておいた。
右チャンネルの+B1電源回路をシャーシ内の左上部に追加したところ。
さっそくクロストーク特性を測定。低域のクロストーク悪化が改善されている。20Hz〜20KHzでは20KHzがリミットして-70dBだが、20Hzでは-81dBとなった。
これでようやくクロストーク問題が解決した。
残るは電源トランスの発熱だけど、数時間使用した時でのトランスカバーの最高温度は53℃だった(室温23℃)ので大丈夫と思われる。
後はSG-205のフィラメント電圧が4.1〜4.2Vなのを、0.1Ωくらいの抵抗を入れれば4.0V程度になるだろう。いずれ機会をみて抵抗を買ってこよう。
