FETの選別には以前製作した治具(じぐ)を使っていたのだけど、手を近づけると値が変動する(ボディエフェクト)、ICクリップでFETを接続するのが手間などの問題があった。そこでZIF(ゼロプレッシャー)ソケットを使ってリニューアルすることにした。参考にした元記事(FET & CRD選別冶具(改訂版))はこちら。
100円ショップのタッパーを使って基板上にパーツを並べる。ZIFソケットにホコリが入るのを防ぐために内蔵させる。ACアダプタも一緒に収納する。私は電流調整をロータリーSWでなくボリュームのままとした。
基板の実体図(もどき)を描いた。
組み上がった基板。
基板の裏側。実体図を左右逆にして(裏面から見た図)印刷しなかったら間違えまくり。
組み込んでプリンタで印刷したラベルを貼り付けた。タッパーにはアルミテープを貼って簡易シールドとした。銅箔テープを貼って確実にGNDへ落ちるようにしてある。
回路図と実測の電圧を赤字で示す。
収納時にはこのように出っ張りが無いので積み重ねできる。
フタを取ったところ。ACアダプタとICクリップが入っている。
使い方を書いた紙を入れてある。
測定にはこのようにDC12VのACアダプタとDMMを接続する。竹ピンセットはFETの温度変化を避けるため。FETはすこし足を広げないとZIFソケットに入らない。
ICクリップでの測定はこのようにする。
最近入手した20個の2SK117BLを測定する。まずSW1を上(Id)、SW2を下(可変)でバイアス電流の設定(200mVは2.0mA)
SW1を下(bias)にしてVGS電圧を測定する。画像では-0.274V。
SW1を上(Id)、SW2を上(Idss)にしてIdssの測定(0.712Vは7.12mA)。LEDが光る。
測定結果。4個のペアが2組、2個のペアが4組取れることがわかる。
手を近づけると1mV〜2mV程度変動するが、測定には全く影響しない。
