初段をカスコードにした回路図は上記のとおり。FETがついたのとNFBをかけるのと6.2V基準電圧の回路を追加。スイッチング電源の出力にLCフィルタを入れてある。
6.2V基準電圧はDC24Vから取っているが、ここにはDC-DCのノイズが発生している。実験回路で6.2Vラインをオシロで見て、トリガーがかからないほどノイズが微小であることを確認済み。
次に2SK30ATM-Yの選別をした。選別治具でIdを0.82mAとし、VGS電圧のなるべく揃ったペアを選ぶ。-0.734Vと-0.733VのFETにした。
そのあと、アンプの改造に着手。結構大掛かりになってしまったが何とか終了。
改造後のシャーシ内部。少し複雑化したけど、まだ許容範囲かな。
FETを選別したものに変更したら10EM7 unit1のプレート電圧が116Vの設計に対して91Vしかない。設計より電流が流れて電圧が下がってしまったのだ。R1を560Ωから300Ωを直列にして860Ωにしたらプレート電圧は117Vになった。
R1の変更と、測定した電圧を書き入れて更新した回路図。
裸利得はLch 18.5倍、Rch 18.2倍。実験で予想した利得より低い。おそらく10EM7 unit2をデータシートより低電圧・低電流で使っているためにμが低いのだろう。unit1のほうのμがデータシートに近いと考えられる。
周波数特性は2V=0.5WでLch 15Hz(-3dB)〜20KHz(-3dB)、Rch 14Hz(-3dB)〜20KHz(-3dB)だった。予想通り、高域の低下が低い周波数で始まっている。
NFBをかけてみる。R10を1.2KΩとしたら、利得は9.5倍。NFB量は5.7dB。周波数特性は12Hz(-3dB)〜43KHz(-3dB)。あまり高域が伸びない。
R10を1KΩにしてみた。利得は8.8倍。NFB量は6.4dB。周波数特性は12Hz(-3dB)〜49KHz(-3dB)。 大して変わりないけど、改造前とほぼ同じになったので良しとする。
残留ノイズはLch 1.25mV、Rch 0.66mV。+BにLCフィルタを入れた時より増えてしまった。おそらくOPTの配線にDC-DCのノイズが飛び込んでいるのだろう。
改造後の詳細な特性と試聴結果は次回。
