以前3A5パラシングルアンプに3B7を挿してみたことがある。3B7にフィッティングしていないせいもあるが、軽いA2級では出力が30mWと全然取れなかった。
3B7はバイアスが浅く、仕様にグリッド電流のスペックがあることから、トランスで位相反転したB級プッシュプルアンプ用に開発されたタマのようだ。
じゃあFETにTrのエミッタフォロアで3B7のグリッドを直結した回路ならA2級ドライブで出力が取れるのではないか、と考えた。
実験回路図を上記に示す。3B7はEp-Ip特性図が実際と一致しないようで、適当に設定して実験してみるほかあるまい。ロードラインは3B7の1ユニットあたり14KΩとなる。
当初Eb=180V・Ip=10mA・Eg=-4Vとしてみたが、もっと電流を流してバイアスを浅くしないとダメのようで、カソード抵抗R6を1KΩから680Ωへ低くしてIp=12.8mAとした。Eg=-1.2Vとなった。Pp maxは1ユニットあたり2.7Wなので180*0.0128=2.3Wとなり範囲内となる。Ep maxは180VなのでEbはそれ以上かけられない。
実験中。
DC-DC(画像左)は電圧可変なのでこういう実験には好都合だ。
アンプ部と初段用電源を平ラグに組んだ。
諸特性を上記に示す。裸利得は27.4倍。無帰還でのDFは1.1なのでNFBが必須。6dBでのR7の抵抗値は1.4KΩとなったので、1.2KΩとしたら7.1dBのNFBがかかった。DFは3.6まで増えた。
NFB有り無しの周波数特性比較。出力125mWでの特性だが、とりあえず20Hz〜20KHzでほぼフラットになった。
歪率特性。7.1dBのNFBをかけても最低歪率が下がらないのはA2級主体だからか。5％歪みでの出力は1.3Wと望外の値が得られた。
歪率特性はいまいち気に入らないけれど、もう片チャンネル組んでバラックで音を聴いてみようかな？
